1.金剛石、類金剛石（DLC）涂層
金剛石涂層是新型刀具涂層材料之一。它利用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)在硬質(zhì)合金基體上生長出一層由多晶組成的金剛石膜，用其加工硅鋁
合金和銅合金等有色金屬、玻璃纖維等工程材料及硬質(zhì)合金等材料，刀具壽命是普通硬質(zhì)合金刀具的50～100倍。金剛石涂層采用了許多金剛石
合成技術(shù)，最普通的是熱絲法、微波等離子法和DC等離子噴射法。通過改進涂層方法和涂層的粘結(jié)，已生產(chǎn)出金剛石涂層刀具，并在工業(yè)上得
到了應(yīng)用。
類金剛石涂層在對某些材料(Al、Ti及其復(fù)合材料)的機械加工方面具有明顯優(yōu)勢。通過低壓氣相沉積的類金剛石涂層，其微觀結(jié)構(gòu)與天然
金剛石相比仍有較大差異。九十年代，常采用激活氫存在下的低壓氣相沉積DLC，涂層中含有大量氫。含氫過多將降低涂層的結(jié)合力和硬度，增
大內(nèi)應(yīng)力。DLC中的氫在較高的溫度下會慢慢釋放出來，引起涂層工作不穩(wěn)定。不含氫的DLC硬度比含氫的DLC高，具有組織均勻、可大面積沉積
、成本低、表面平整等優(yōu)點，已成為近年來DLC涂層研究的熱點。美國科學(xué)家A.A.Voevodin提出沉積超硬DLC涂層的結(jié)構(gòu)設(shè)計為Ti-TiC-DLC梯度
轉(zhuǎn)變涂層，使硬度由較軟的鋼基體逐漸提高到表層超硬的DLC涂層。這類復(fù)合涂層既保持了高硬度和低摩擦系數(shù)，又降低了脆性，提高了承載力
、結(jié)合力及磨損抗力。
經(jīng)過多年的研究表明：由于類金剛石涂層的內(nèi)應(yīng)力高、熱穩(wěn)定性差及與黑色金屬間的觸媒效應(yīng)使SP3結(jié)構(gòu)向SP2轉(zhuǎn)變等缺點，決定了它目前
只能應(yīng)用于加工有色金屬，因而限制了它在機加工方面的進一步應(yīng)用。但是近年來的研究表明，以SP2結(jié)構(gòu)為主的類金剛石涂層(也稱為類石墨
涂層)硬度也可達到20～40GPa，卻不存在與黑色金屬起觸媒效應(yīng)的問題，其摩擦系數(shù)很低又有很好的抗?jié)裥裕邢鲿r可以用冷卻劑也可用于干
切削，其壽命比無涂層刀有成倍的提高，可以加工鋼鐵材料，因而引起了涂層公司、刀具廠家的極大興趣。假以時日，這種新型的類金剛石涂
層將會在切削領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。
2.立方氮化硼(CBN)涂層
CBN是繼人工合成金剛石之后出現(xiàn)的另一種超硬材料，它除了具有許多與金剛石類似的優(yōu)異物理、化學(xué)特性（如超高硬度，僅次于金剛石，
高耐磨性，低摩擦系數(shù)，低熱膨脹系數(shù)等）外，同時還具有一些優(yōu)于金剛石的特性。CBN對于鐵、鋼和氧化環(huán)境具有化學(xué)惰性，在氧化時形成一
薄層氧化硼，此氧化物為涂層提供了化學(xué)穩(wěn)定性，因此它在加工硬的鐵材、灰鑄鐵時耐熱性也極為優(yōu)良，在相當(dāng)高的切削溫度下也能切削耐熱
鋼、淬火鋼、鈦合金等,并能切削高硬度的冷硬軋輥、滲碳淬火材料以及對刀具磨損非常嚴重的硅鋁合金等難加工材料。
自1987年成功地制備了出純的CBN涂層以來，在國際上掀起了CBN硬質(zhì)涂層的研究熱潮。低壓氣相合成CBN涂層的方法主要有CVD和
PVD法。CVD包括化學(xué)輸運PCVD，熱絲輔助加熱PCVD，ECR－CVD等；PVD則有反應(yīng)離子束鍍、活性反應(yīng)蒸鍍、激光蒸鍍離子束輔助沉積法等。研究
結(jié)果表明：在合成CBN相、對硬質(zhì)合金基體的良好粘結(jié)和合適的硬度等方面已取得了進展，目前沉積在硬質(zhì)合金上的立方氮化硼最大僅為0.2～
0.5μm，若想達到商品化，則必須采用可靠的技術(shù)來沉積高純的經(jīng)濟的CBN涂層，其厚度應(yīng)在3～5μm，并在實際金屬切削加工中證實其效果。
3.CNx涂層
二十世代八十年代，美國科學(xué)家Liu和Cohen設(shè)計了類似β-Si3N4新型化合物β-C3N4，采用固體物理和量子化學(xué)理論，計算出它的硬度可能
達到金剛石，這引起了世界各國科學(xué)家的關(guān)注。合成氮化碳成為世界材料科學(xué)領(lǐng)域的熱門課題。日本Okayama大學(xué)的FFujimoto采用電子束蒸發(fā)
離子束輔助沉積法獲得的氮化碳涂層達到63.7Gpa。武漢大學(xué)合成的氮化碳硬度分別達到50GPa，并沉積到高速鋼麻花鉆上，獲得非常好的鉆孔
性能。合成氮化碳的主要方法有真流和射頻反應(yīng)濺射法、激光蒸發(fā)和離子束輔助沉積法ECR－CVD法、雙離子束沉積法等。